IMB1AT110
Numer produktu producenta:

IMB1AT110

Product Overview

Producent:

Rohm Semiconductor

Numer części:

IMB1AT110-DG

Opis:

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6

Magazyn:

13525895
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IMB1AT110 Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
22kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
22kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
300mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-74, SOT-457
Pakiet urządzeń dostawcy
SMT6
Podstawowy numer produktu
IMB1

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
RN2603(TE85L,F)
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6000
NUMER CZĘŚCI
RN2603(TE85L,F)-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
rohm-semi

FMG1AT148

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

rohm-semi

IMD2AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

rohm-semi

UMD9NTR

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

rohm-semi

FMA5AT148

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5