Numer produktu producenta:
HP8MA2TB1
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
HP8MA2TB1-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Magazyn:
2354 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13524874
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
HP8MA2TB1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Ta), 15A (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Moc - Max
3W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-HSOP
Podstawowy numer produktu
HP8MA2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
HP8MA2TB1CT
HP8MA2TB1TR
HP8MA2TB1DKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SP8K33FRATB
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
US6J2TR
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
SH8M13GZETB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
