Numer produktu producenta:
EMG8T2R
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
EMG8T2R-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Magazyn:
7975 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13523956
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
EMG8T2R Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
150mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
EMT5
Podstawowy numer produktu
EMG8T2
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Dokumenty dotyczące niezawodności
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
EMG8T2RCT
EMG8T2RTR
EMG8T2RDKR
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NSB1706DMW5T1G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4465
NUMER CZĘŚCI
NSB1706DMW5T1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
FMC3AT148
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5
IMD8AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6