Numer produktu producenta:
UPA2003C-A
Product Overview
Producent:
Renesas Electronics Corporation
Numer części:
UPA2003C-A-DG
Opis:
NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 60V 500mA 900mW Through Hole 16-DIP
Magazyn:
1875 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12974873
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
UPA2003C-A Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych
Producent
Renesas Electronics Corporation
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
7 NPN Darlington
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
500mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
60V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1.6V @ 500µA, 350mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 350mA, 2V
Moc - Max
900mW
Częstotliwość - Przejście
-
Temperatura
-30°C ~ 75°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Pakiet urządzeń dostawcy
16-DIP
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RENRNSUPA2003C-A
2156-UPA2003C-A
Pakiet Standard
299
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
Not applicable
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
0000.00.0000
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CTLM3474-M832D TR
TRANSISTOR
CTLM3410-M832D BK
TRANSISTOR
CYTA4494D BK
TRANSISTOR