Numer produktu producenta:

RQA0002DNSTB-E

Product Overview

Producent:

Renesas Electronics Corporation

Numer części:

RQA0002DNSTB-E-DG

Opis:

MOSFET N-CH 16V 3.8A 2HWSON

Szczegółowy opis:

N-Channel 16 V 3.8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount 2-HWSON (5x4)

Magazyn:

Zapytanie ofertowe Online

12857265

Poproś o wycenę

Ilość
Minimum 1

(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

ZATWIERDŹ

RQA0002DNSTB-E Specyfikacje techniczne

Kategoria

FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent

Renesas Electronics Corporation

Opakowanie

-

Seria

-

Status produktu

Obsolete

Typ tranzystora FET

N-Channel

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss)

16 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C

3.8A (Ta)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)

-

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

750mV @ 1mA

Vgs (maks.)

±5V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

102 pF @ 0 V

Funkcja FET

-

Rozpraszanie mocy (maks.)

15W (Tc)

Temperatura

150°C

Rodzaj montażu

Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy

2-HWSON (5x4)

Pakiet / Walizka

2-DFN Exposed Pad

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Karta danych HTML

RQA0002DNSTB-E-DG

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard

2,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T

EAR99

HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T

8541.29.0095

Certyfikacja DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produkty powiązane

onsemi

NDB6060

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

onsemi

NTD4806NAT4G

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

STTFS010N10MCL

PTNG 100V LL

onsemi

NVMFS5C460NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN