Numer produktu producenta:
NP80N055MHE-S18-AY
Product Overview
Producent:
Renesas Electronics Corporation
Numer części:
NP80N055MHE-S18-AY-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
12860198
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NP80N055MHE-S18-AY Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Renesas Electronics Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3600 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.8W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STP80NF55-08
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
48
NUMER CZĘŚCI
STP80NF55-08-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.25
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ZSPM9000AI1R
MOSFET N-CH
NP22N055SLE-E1-AZ
TRANSISTOR
NTMFS5C410NLTT3G
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
