ISL6612AECBZ-T
Numer produktu producenta:

ISL6612AECBZ-T

Product Overview

Producent:

Renesas Electronics Corporation

Numer części:

ISL6612AECBZ-T-DG

Opis:

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Szczegółowy opis:
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP

Magazyn:

7940013
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

ISL6612AECBZ-T Specyfikacje techniczne

Kategoria
Zarządzanie energią (PMIC), Sterowniki bramek
Producent
Renesas Electronics Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Programowalny DiGi-Electronics
Not Verified
Konfiguracja sterowana
Half-Bridge
Typ kanału
Synchronous
Liczba kierowców
2
Typ bramy
N-Channel MOSFET
Napięcie - Zasilanie
10.8V ~ 13.2V
Napięcie logiczne - VIL, VIH
-
Prąd - szczytowa moc wyjściowa (źródło, ujście)
1.25A, 2A
Typ danych wejściowych
Non-Inverting
Wysokie napięcie boczne - maksimum (Bootstrap)
36 V
Czas narastania / opadania (typ)
26ns, 18ns
Temperatura
0°C ~ 125°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC-EP
Podstawowy numer produktu
ISL6612

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
ISL6612ACBZ-T
PRODUCENT
Renesas Electronics Corporation
ILOŚĆ DOSTĘPNA
11034
NUMER CZĘŚCI
ISL6612ACBZ-T-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.31
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
renesas-electronics-america

ISL89163FRTAZ

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFN

renesas-electronics-america

ISL6609IRZ-T

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN

renesas-electronics-america

EL7457CL

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QFN

renesas-electronics-america

ISL89165FRTBZ-T

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFN