Numer produktu producenta:
HS54095TZ-E
Product Overview
Producent:
Renesas
Numer części:
HS54095TZ-E-DG
Opis:
HS54095TZ-E - N-CHANNEL POWER MO
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 200mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92
Magazyn:
7500 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12976730
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
HS54095TZ-E Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Renesas Electronics Corporation
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
66 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
750mW (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-HS54095TZ-E
Pakiet Standard
382
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STQ1NK60ZR-AP
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7349
NUMER CZĘŚCI
STQ1NK60ZR-AP-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.17
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK3377-Z-AZ
2SK3377-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN
2SK2109-T1-AZ
2SK2109-T1-AZ - N-CHANNEL MOS FE
2SK2933-E
2SK2933 - N-CHANNEL POWER MOSFET
