Numer produktu producenta:
HAT2170HWS-E
Product Overview
Producent:
Renesas Electronics Corporation
Numer części:
HAT2170HWS-E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 45A 5LFPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 45A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Magazyn:
12852994
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
HAT2170HWS-E Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Renesas Electronics Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
45A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
7V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4650 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK
Pakiet / Walizka
SC-100, SOT-669
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPZA60R180P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
IRFHM830DTR2PBF
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
IPAN80R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220
