2SK2315TYTR-E

Numer produktu producenta:

2SK2315TYTR-E

Product Overview

Producent:

Renesas Electronics Corporation

Numer części:

2SK2315TYTR-E-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 2A UPAK

Szczegółowy opis:

N-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UPAK

Magazyn:

Zapytanie ofertowe Online

12858298

Poproś o wycenę

Ilość
Minimum 1

CUpD

(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

ZATWIERDŹ

2SK2315TYTR-E Specyfikacje techniczne

Kategoria

FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent

Renesas Electronics Corporation

Opakowanie

-

Seria

-

Status produktu

Obsolete

Typ tranzystora FET

N-Channel

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss)

60 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C

2A (Ta)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)

3V, 4V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs

450mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (maks.)

±20V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

173 pF @ 10 V

Funkcja FET

-

Rozpraszanie mocy (maks.)

1W (Ta)

Temperatura

150°C (TJ)

Rodzaj montażu

Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy

UPAK

Pakiet / Walizka

TO-243AA

Podstawowy numer produktu

2SK2315

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Karta danych HTML

2SK2315TYTR-E-DG

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard

1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T

EAR99

HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T

8541.29.0095

Certyfikacja DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produkty powiązane

2SK3483(0)-Z-E1-AY

TRANSISTOR

onsemi

NVMFS5C628NLWFT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

NVMFS5C645NLT3G

MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN

onsemi

NVMFS5833NWFT3G

MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN