Numer produktu producenta:
2SK1341-E
Product Overview
Producent:
Renesas Electronics Corporation
Numer części:
2SK1341-E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 6A TO3P
Szczegółowy opis:
N-Channel 900 V 6A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Magazyn:
12861393
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2SK1341-E Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Renesas Electronics Corporation
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
980 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
2SK1341
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFH12N90P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1289
NUMER CZĘŚCI
IXFH12N90P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
5.21
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
UPA2754GR(0)-E1-AY
TRANSISTOR
NP100N04PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
IRF7464
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
