Numer produktu producenta:
QJD1210SA2
Product Overview
Producent:
Powerex Inc.
Numer części:
QJD1210SA2-DG
Opis:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module
Magazyn:
12840189
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
QJD1210SA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Powerex
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1.2kV)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 34mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
330nC @ 15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8200pF @ 10V
Moc - Max
415W
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet / Walizka
Module
Pakiet urządzeń dostawcy
Module
Podstawowy numer produktu
QJD1210
Karta katalogowa i dokumenty
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ECH8651R-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 10A 8ECH
FDC6320C
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6
NTLGD3502NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
