Numer produktu producenta:
PJW3P06A_R2_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJW3P06A_R2_00001-DG
Opis:
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Magazyn:
12973732
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJW3P06A_R2_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
430 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
PJW3P06A
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJW3P06A_R2_00001CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RJK2017DPP-M0#T2
ABU / MOSFET
BUK7E2R3-40E,127
NEXPERIA BUK7E2R3-40E - 120A, 40
PJQ5463A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
