Numer produktu producenta:
PJW1NA60A_R2_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJW1NA60A_R2_00001-DG
Opis:
600V N-CHANNEL MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 400mA (Ta) 3.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Magazyn:
12973626
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJW1NA60A_R2_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
400mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
148 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
PJW1NA60A
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJW1NA60A_R2_00001DKR
3757-PJW1NA60A_R2_00001CT
3757-PJW1NA60A_R2_00001TR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STN1HNK60
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
45248
NUMER CZĘŚCI
STN1HNK60-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.37
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJL9407_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ2408_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
SUD15N15-95-BE3
MOSFET N-CH 150V 15A DPAK
