PJS6403_S1_00001
Numer produktu producenta:

PJS6403_S1_00001

Product Overview

Producent:

Panjit International Inc.

Numer części:

PJS6403_S1_00001-DG

Opis:

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 6.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Magazyn:

420 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12997476
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

PJS6403_S1_00001 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.4A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-6
Pakiet / Walizka
SOT-23-6
Podstawowy numer produktu
PJS6403

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
3757-PJS6403_S1_00001TR
3757-PJS6403_S1_00001DKR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
goford-semiconductor

GT52N10D5

MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L

nexperia

PXP012-30QLJ

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

epc-space

FBG10N30BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

onsemi

FDC638P-P

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6