PJQ5426_R2_00001
Numer produktu producenta:

PJQ5426_R2_00001

Product Overview

Producent:

Panjit International Inc.

Numer części:

PJQ5426_R2_00001-DG

Opis:

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 115A (Tc) 2W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount DFN5060-8

Magazyn:

12971814
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

PJQ5426_R2_00001 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Ta), 115A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4305 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN5060-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
PJQ5426

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
3757-PJQ5426_R2_00001TR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
microchip-technology

MSC060SMA070B4

TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4

panjit

PJD10N10_L2_00001

100V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJP60R390E_T0_00001

600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

panjit

PJQ4444P_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M