Numer produktu producenta:
PJQ5419_R2_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJQ5419_R2_00001-DG
Opis:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 8.5A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount DFN5060-8
Magazyn:
12970618
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJQ5419_R2_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 30A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1169 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta), 27W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN5060-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
PJQ5419
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJQ5419_R2_00001TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJW3N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJP3NA50_T0_00001
500V N-CHANNEL MOSFET
PJD55N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M