Numer produktu producenta:
PJQ4464AP_R2_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJQ4464AP_R2_00001-DG
Opis:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 7.3A (Ta), 33A (Tc) 2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DFN3333-8
Magazyn:
12972585
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJQ4464AP_R2_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.3A (Ta), 33A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1574 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DFN3333-8
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
PJQ4464
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJQ4464AP_R2_00001TR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJQ5425_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IRFR420TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
BSS84-F169
MOSFET
