Numer produktu producenta:
PJP8NA65A_T0_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJP8NA65A_T0_00001-DG
Opis:
650V N-CHANNEL MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 7.5A (Ta) 145W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
12972968
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJP8NA65A_T0_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
145W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
PJP8
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJP8NA65A_T0_00001
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDP045N10A-F032
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
PSMN2R0-60ES,127
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
PJS6404_S1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M