Numer produktu producenta:
PJP40N06A_T0_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJP40N06A_T0_00001-DG
Opis:
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 93W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
12971677
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJP40N06A_T0_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1574 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
93W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
PJP40
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJP40N06A_T0_00001
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJD14P06A-AU_L2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD90N03_L2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7413_S2_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M