Numer produktu producenta:
PJP12NA60_T0_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJP12NA60_T0_00001-DG
Opis:
600V N-CHANNEL MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 12A (Ta) 225W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
12997396
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJP12NA60_T0_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
700mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1492 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
225W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
PJP12
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJP12NA60_T0_00001CT-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001TR
3757-PJP12NA60_T0_00001TR-DG
3757-PJP12NA60_T0_00001
3757-PJP12NA60_T0_00001CT
3757-PJP12NA60_T0_00001DKRINACTIVE
3757-PJP12NA60_T0_00001CTINACTIVE
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIHB055N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
IXTH60N20X4
MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247
SIDR402EP-T1-RE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET
