Numer produktu producenta:
PJF4NA65A_T0_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJF4NA65A_T0_00001-DG
Opis:
650V N-CHANNEL MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 4A (Ta) 33W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Magazyn:
12974095
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJF4NA65A_T0_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
555 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
ITO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
PJF4NA65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJF4NA65A_T0_00001
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJQ5446_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJF2NA1K_T0_00001
1000V N-CHANNEL MOSFET
NVD260N65S3T4G
SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK
