PJE8402_R1_00001
Numer produktu producenta:

PJE8402_R1_00001

Product Overview

Producent:

Panjit International Inc.

Numer części:

PJE8402_R1_00001-DG

Opis:

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 700mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Magazyn:

15131 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12971142
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

PJE8402_R1_00001 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
700mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 700mA, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
92 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
300mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-523
Pakiet / Walizka
SOT-523
Podstawowy numer produktu
PJE8402

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
3757-PJE8402_R1_00001TR
3757-PJE8402_R1_00001CT
3757-PJE8402_R1_00001DKR
Pakiet Standard
4,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SIHD3N50D-BE3

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

panjit

PJQ4444P-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

alpha-and-omega-semiconductor

AO3487

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3

panjit

PJW5N10A_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE