Numer produktu producenta:
PJD2NA60_L2_00001
Product Overview
Producent:
Panjit International Inc.
Numer części:
PJD2NA60_L2_00001-DG
Opis:
600V N-CHANNEL MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 34W (Tc) Surface Mount TO-252
Magazyn:
12971864
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PJD2NA60_L2_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
PANJIT
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
257 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
34W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
PJD2N
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJD2NA60_L2_00001DKR
3757-PJD2NA60_L2_00001TR
3757-PJD2NA60_L2_00001CT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJW3P10A_R2_00001
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJQ4466AP-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4403P_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
