Numer produktu producenta:
RFD4N06LSM9A
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
RFD4N06LSM9A-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 4A TO252AA
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Magazyn:
12858200
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RFD4N06LSM9A Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±10V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
RFD4N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
NVMFS5C430NAFT1G
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
NTD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
