Numer produktu producenta:
RFD10P03LSM
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
RFD10P03LSM-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 10A TO252-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 10A (Tc) Surface Mount TO-252AA
Magazyn:
12848409
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RFD10P03LSM Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1035 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
RFD10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
FDB070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
FQL40N50
MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
