Numer produktu producenta:
NVMYS021N06CLTWG
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NVMYS021N06CLTWG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta), 27A (Tc) 3.8W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Magazyn:
3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12845283
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NVMYS021N06CLTWG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 16µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
410 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK4 (5x6)
Pakiet / Walizka
SOT-1023, 4-LFPAK
Podstawowy numer produktu
NVMYS021
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NVMYS021N06CLTWGOSDKR
NVMYS021N06CLTWGOS
2832-NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWGOSTR
NVMYS021N06CLTWGOSCT
NVMYS021N06CLTWGOS-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
AO3400A
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
AOTF5N50
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F
