NVMFWS005N10MCLT1G
Numer produktu producenta:

NVMFWS005N10MCLT1G

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

NVMFWS005N10MCLT1G-DG

Opis:

PTNG 100V LL SO8FL
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 131W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Magazyn:

1500 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12979327
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

NVMFWS005N10MCLT1G Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18.4A (Ta), 108A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 192µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4100 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 131W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount, Wettable Flank
Pakiet urządzeń dostawcy
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN, 5 Leads

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
488-NVMFWS005N10MCLT1GCT
488-NVMFWS005N10MCLT1GTR
488-NVMFWS005N10MCLT1GDKR
Pakiet Standard
1,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

NVH4L075N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

diodes

DMN10H220LFDF-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

onsemi

NVTFWS070N10MCLTAG

PTNG 100V LL U8FL

diodes

DMT35M4LFDF-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-