Numer produktu producenta:
NVMFS6H818NWFT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NVMFS6H818NWFT1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Magazyn:
2975 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12844807
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NVMFS6H818NWFT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Ta), 123A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 190µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3100 pF @ 40 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount, Wettable Flank
Pakiet urządzeń dostawcy
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN, 5 Leads
Podstawowy numer produktu
NVMFS6
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NVMFS6H818NWFT1G-DG
NVMFS6H818NWFT1GOSTR
NVMFS6H818NWFT1GOSDKR
2156-NVMFS6H818NWFT1G-OS
ONSONSNVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1GOSCT
Pakiet Standard
1,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AO4438
MOSFET N-CH 60V 8.2A 8SOIC
AON6532
MOSFET N CH 30V 27A 8DFN
AO3416L
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
