Numer produktu producenta:
NVH4L020N120SC1
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NVH4L020N120SC1-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 102A (Tc) 510W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Magazyn:
862 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12938864
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NVH4L020N120SC1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
102A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 20mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
220 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+25V, -15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2943 pF @ 800 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
510W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4L
Pakiet / Walizka
TO-247-4
Podstawowy numer produktu
NVH4L020
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NVH4L020N120SC1
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTF2955PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
NVMFS5C466NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN
NVMTS1D2N08H
MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
