Numer produktu producenta:
NVF2955T1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NVF2955T1G-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 2.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Magazyn:
3990 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12847799
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NVF2955T1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
170mOhm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
492 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223 (TO-261)
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Podstawowy numer produktu
NVF2955
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NVF2955T1GOSDKR-DG
488-NVF2955T1GDKR
NVF2955T1GOSCT-DG
488-NVF2955T1GTR
NVF2955T1G-DG
NVF2955T1GOSTR-DG
NVF2955T1GOSCT
488-NVF2955T1GCT
NVF2955T1GOSTR
NVF2955T1GOSDKR
2156-NVF2955T1G-OS
ONSONSNVF2955T1G
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDPF33N25T
MOSFET N-CH 250V 33A TO220F
FQP33N10L
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
FDFM2N111
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET
