Numer produktu producenta:
NTZD3155CT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTZD3155CT1G-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Magazyn:
55534 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12856742
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTZD3155CT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
540mA, 430mA
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
150pF @ 16V
Moc - Max
250mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-563
Podstawowy numer produktu
NTZD3155
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2832-NTZD3155CT1GTR
NTZD3155CT1GOSTR
NTZD3155CT1GOSDKR
NTZD3155CT1GOSCT
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NDS9959
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
NVMFD5C680NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
VEC2315-TL-H
MOSFET 2P-CH 60V 2.5A SOT28
