Numer produktu producenta:
NTTFS4H07NTWG
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTTFS4H07NTWG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 18.5A (Ta), 66A (Tc) 2.64W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Magazyn:
12839871
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTTFS4H07NTWG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18.5A (Ta), 66A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
771 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-WDFN (3.3x3.3)
Pakiet / Walizka
8-PowerWDFN
Podstawowy numer produktu
NTTFS4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSNTTFS4H07NTWG
2156-NTTFS4H07NTWG-OS
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDMS8670AS
MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
FQPF5N80
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
NTD4906N-1G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
