NTS4173PT1G
Numer produktu producenta:

NTS4173PT1G

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

NTS4173PT1G-DG

Opis:

MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

Magazyn:

21570 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12938031
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

NTS4173PT1G Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
430 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
290mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-70-3 (SOT323)
Pakiet / Walizka
SC-70, SOT-323
Podstawowy numer produktu
NTS4173

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
NTS4173PT1GOSCT
NTS4173PT1GOSTR
NTS4173PT1G-DG
NTS4173PT1GOSDKR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
alpha-and-omega-semiconductor

AON6590A

MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN

onsemi

MGSF3442XT1

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

harris-corporation

RFL1N15

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

RJK6013DPP-00#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET