Numer produktu producenta:
NTRV4101PT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTRV4101PT1G-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Magazyn:
4020 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12842997
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTRV4101PT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
675 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
420mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
NTRV4101
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NTRV4101PT1GOSDKR
ONSONSNTRV4101PT1G
488-NTRV4101PT1GTR
NTRV4101PT1G-DG
NTRV4101PT1GOSTR-DG
488-NTRV4101PT1GCT
488-NTRV4101PT1GDKR
NTRV4101PT1GOSCT-DG
NTRV4101PT1GOSCT
NTRV4101PT1GOSDKR-DG
NTRV4101PT1GOSTR
2156-NTRV4101PT1G-OS
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTHL040N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
AUIRF4905
MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
NTP75N06L
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
