Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
NTR1P02LT3G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTR1P02LT3G-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 1.3A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Magazyn:
19457 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12856455
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTR1P02LT3G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
220mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.5 nC @ 4 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
225 pF @ 5 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
NTR1P02
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
NTR1P02LT3G
Karta danych HTML
NTR1P02LT3G-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NTR1P02LT3GOSCT
2156-NTR1P02LT3G-OS
NTR1P02LT3GOSTR
NTR1P02LT3G-DG
NTR1P02LT3GOSDKR
ONSONSNTR1P02LT3G
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTPF082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A TO220F
NVATS5A114PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAK
NTMFS5830NLT1G
MOSFET N-CH 40V 28A/172A 5DFN
RJK6026DPE-00#J3
MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK