Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
DR Konga
Argentyna
Turcja
Rumunia
Litwa
Norwegia
Austria
Angola
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Białoruś
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Czarnogóra
Rosyjski
Belgia
Szwecja
Serbia
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Mołdawia
Niemcy
Holandia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
Francja
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Portugalia
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Hiszpania
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
NTPF360N65S3H
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTPF360N65S3H-DG
Opis:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 10A (Tj) 26W (Tc) Through Hole TO-220FP
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12964868
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTPF360N65S3H Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
SuperFET® III
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 700µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
916 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
26W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
NTPF360N65S3H
Karta danych HTML
NTPF360N65S3H-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NTPF360N65S3HDKR-DG
488-NTPF360N65S3HTR
488-NTPF360N65S3H
488-NTPF360N65S3HDKR
488-NTPF360N65S3HCT
488-NTPF360N65S3HCT-DG
488-NTPF360N65S3HCTINACTIVE
488-NTPF360N65S3HTR-DG
488-NTPF360N65S3HDKRINACTIVE
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SIHA11N80E-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1334
NUMER CZĘŚCI
SIHA11N80E-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.45
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJA3449_R1_00001
SOT-23, MOSFET
SQJQ160E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
SIHF9520S-GE3
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
PJA3436_R1_00001
SOT-23, MOSFET