Numer produktu producenta:
NTMYS2D2N06CLTWG
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 31A (Ta), 185A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Magazyn:
12857226
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTMYS2D2N06CLTWG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
31A (Ta), 185A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 180µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4850 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.9W (Ta), 134W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
LFPAK4 (5x6)
Pakiet / Walizka
SOT-1023, 4-LFPAK
Podstawowy numer produktu
NTMYS2
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2832-NTMYS2D2N06CLTWGTR
NTMYS2D2N06CLTWG-DG
488-NTMYS2D2N06CLTWGTR
488-NTMYS2D2N06CLTWGDKR
488-NTMYS2D2N06CLTWGCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTLJS3113PTAG
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NVATS4A101PZT4G
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A ATPAK
NTMFS4935NCT3G
MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
