Numer produktu producenta:
NTMTS1D6N10MCTXG
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTMTS1D6N10MCTXG-DG
Opis:
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 36A (Ta), 273A (Tc) 5W (Ta), 291W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Magazyn:
2970 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12966315
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTMTS1D6N10MCTXG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
36A (Ta), 273A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 650µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7630 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
5W (Ta), 291W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DFNW (8.3x8.4)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NTMTS1D6N10MCTXGDKR
488-NTMTS1D6N10MCTXGTR
488-NTMTS1D6N10MCTXGCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NVMTS1D6N10MCTXG
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9000
NUMER CZĘŚCI
NVMTS1D6N10MCTXG-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.04
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI7840BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI5424DC-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
SIR826BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK