Numer produktu producenta:
NTMSD3P102R2
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTMSD3P102R2-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
12842212
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTMSD3P102R2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
FETKY™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.34A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
750 pF @ 16 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Rozpraszanie mocy (maks.)
730mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
NTMSD3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-NTMSD3P102R2
NTMSD3P102R2OS
ONSONSNTMSD3P102R2
2156-NTMSD3P102R2-ONTR-DG
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
DMS2085LSD-13
PRODUCENT
Diodes Incorporated
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2490
NUMER CZĘŚCI
DMS2085LSD-13-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.07
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSC882N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
NTD4906N-35G
MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
SFT1443-TL-W
MOSFET N-CH 100V 9A DPAK/TP-FA
