Numer produktu producenta:
NTMSD2P102R2
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTMSD2P102R2-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
12847805
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTMSD2P102R2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
750 pF @ 16 V
Funkcja FET
Schottky Diode (Isolated)
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
NTMSD2
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSNTMSD2P102R2
2156-NTMSD2P102R2
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
CPH6442-TL-W
MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH
FDMC8878_F126
MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
NTB85N03
MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
