Numer produktu producenta:

NTMKE4892NT1G

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

NTMKE4892NT1G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 26A/148A 4ICEPAK

Szczegółowy opis:

N-Channel 30 V 26A (Ta), 148A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)

Magazyn:

Zapytanie ofertowe Online

12857151

Poproś o wycenę

Ilość
Minimum 1

(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

ZATWIERDŹ

NTMKE4892NT1G Specyfikacje techniczne

Kategoria

FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent

onsemi

Opakowanie

-

Seria

-

Status produktu

Obsolete

Typ tranzystora FET

N-Channel

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C

26A (Ta), 148A (Tc)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)

4.5V, 10V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

61 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

4270 pF @ 15 V

Funkcja FET

-

Rozpraszanie mocy (maks.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rodzaj montażu

Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy

4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)

Pakiet / Walizka

5-ICEPAK

Podstawowy numer produktu

NTMKE4

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Karta danych HTML

NTMKE4892NT1G-DG

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard

1,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T

EAR99

HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T

8541.29.0095

Certyfikacja DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produkty powiązane

renesas-electronics-america

NP80N04PUG-E1B-AY

MOSFET N-CH 40V 80A TO263

onsemi

NTPF190N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP

onsemi

NTD12N10T4

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

onsemi

NTP30N06LG

MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB