Numer produktu producenta:

NTMKB4895NT1G

Product Overview

Producent:

onsemi

Numer części:

NTMKB4895NT1G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 15A/66A 4ICEPAK

Szczegółowy opis:

N-Channel 30 V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Magazyn:

Zapytanie ofertowe Online

12939000

Poproś o wycenę

Ilość
Minimum 1

(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

ZATWIERDŹ

NTMKB4895NT1G Specyfikacje techniczne

Kategoria

FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent

onsemi

Opakowanie

-

Seria

-

Status produktu

Obsolete

Typ tranzystora FET

N-Channel

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C

15A (Ta), 66A (Tc)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)

4.5V, 10V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1644 pF @ 15 V

Funkcja FET

-

Rozpraszanie mocy (maks.)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rodzaj montażu

Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy

4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)

Pakiet / Walizka

4-ICEPAK

Podstawowy numer produktu

NTMKB4

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Karta danych HTML

NTMKB4895NT1G-DG

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard

1,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T

EAR99

HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T

8541.29.0095

Certyfikacja DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produkty powiązane

onsemi

NVB190N65S3F

MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

onsemi

NVGS5120PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

renesas-electronics-america

NP15P04SLG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 15A TO252

renesas-electronics-america

NP82N03PUG-E1-AY

MOSFET N-CH 30V 82A TO263