Numer produktu producenta:
NTMFS4D2N10MDT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTMFS4D2N10MDT1G-DG
Opis:
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 16.4A (Ta), 113A (Tc) 2.8W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Magazyn:
12950497
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTMFS4D2N10MDT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16.4A (Ta), 113A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 239µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3100 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.8W (Ta), 132W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN, 5 Leads
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
488-NTMFS4D2N10MDT1GTR
488-NTMFS4D2N10MDT1GDKR
488-NTMFS4D2N10MDT1GCT
Pakiet Standard
1,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RS6P100BHTB1
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2725
NUMER CZĘŚCI
RS6P100BHTB1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.35
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTMT110N65S3HF
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTHL095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTP125N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE