Numer produktu producenta:
NTMFS4C09NT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTMFS4C09NT1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Magazyn:
5433 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12858532
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTMFS4C09NT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1252 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
760mW (Ta), 25.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN, 5 Leads
Podstawowy numer produktu
NTMFS4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NTMFS4C09NT1GOSTR
NTMFS4C09NT1GOSDKR
NTMFS4C09NT1G-DG
ONSNTMFS4C09NT1G
NTMFS4C09NT1GOSCT
2156-NTMFS4C09NT1G-OS
Pakiet Standard
1,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
NTMFS4C09NAT1G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
IPP027N08N5AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
