Numer produktu producenta:
NTHD4102PT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTHD4102PT1G-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 2.9A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Magazyn:
12935286
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTHD4102PT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.9A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
750pF @ 16V
Moc - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
ChipFET™
Podstawowy numer produktu
NTHD4102
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NTHD4102PT1GOSCT
NTHD4102PT1GOS-DG
NTHD4102PT1GOSDKR
NTHD4102PT1GOS
2832-NTHD4102PT1GTR
NTHD4102PT1GOSTR
=NTHD4102PT1GOSCT-DG
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
