Numer produktu producenta:
NTHC5513T1
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTHC5513T1-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Magazyn:
12857054
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTHC5513T1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.9A, 2.2A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
180pF @ 10V
Moc - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
ChipFET™
Podstawowy numer produktu
NTHC5513
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
NTHC5513T1OS
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTMFD5C470NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 11A/36A 8DFN
UPA1970TE-T1-AT
MOSFET 2N-CH 20V 2.2A SC95-6
STZD3155CT1G
MOSFET 20V SOT563
