Numer produktu producenta:
NTD60N02R-35G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTD60N02R-35G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-Pak
Magazyn:
12858358
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTD60N02R-35G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1330 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Podstawowy numer produktu
NTD60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSNTD60N02R-35G
2156-NTD60N02R-35G-ON
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SCH1331-S-TL-H
MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
NVMFS5C604NLT3G
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
NVMFS6B75NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 7A/28A 5DFN
