Numer produktu producenta:
NTD4857N-1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTD4857N-1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole I-PAK
Magazyn:
12859860
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTD4857N-1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta), 78A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1960 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I-PAK
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Podstawowy numer produktu
NTD48
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSNTD4857N-1G
2156-NTD4857N-1G-ON
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PHT6NQ10T,135
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4949
NUMER CZĘŚCI
PHT6NQ10T,135-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.28
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NVTFS6H880NWFTAG
MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
NDP4060
MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3
NTTFS015P03P8ZTWG
MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
