Numer produktu producenta:
NTD3817N-35G
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
NTD3817N-35G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole IPAK
Magazyn:
12843479
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
NTD3817N-35G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
16 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
702 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
IPAK
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Podstawowy numer produktu
NTD38
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-NTD3817N-35G-ON
ONSONSNTD3817N-35G
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2SK3048
MOSFET N-CH 600V 3A TO220D-A1
NTR4502PT3G
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
IRF840LPBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB
